評析：看起來好像很厲害...
不過，開發出材料是一回事，能實際應用再說...
作者 MoneyDJ | 發布日期 2020 年 07 月 06 日三星先進技術研究院（Samsung Advanced Institute of Technology，簡稱 SAIT）研發出新的半導體材料──「非晶質氮化硼」（amorphous boron nitride，簡稱 a-BN），有望讓次世代半導體加速現身。
三星官網 6 日新聞稿稱，SAIT、南韓蔚山國家科學技術研究院（Ulsan National Institute of Science and Technology）、英國劍橋大學，合力發現了新材料 a-BN，此一結果刊載於知名科學期刊《Nature》。
SAIT 致力於發展 2D 材料，也就是只有一層原子的晶體材料。該機構持續研究石墨烯，在石墨烯電晶體以及如何製作大型單晶的晶圓級石墨烯方面，達成了破天荒的研究成果。
SAIT 石墨烯計畫主管和主要研究員 Hyeon-Jin Shin 說：「為了加強石墨烯和以矽為基礎半導體製程的相容性，要在半導體基板上生成晶圓級石墨烯，必須在攝氏 400 度以下的低溫進行。」
新發現的材料名為 a-BN（見下圖），從白色石墨烯淬鍊而出，內部的氮和硼原子成六角形排列，但是分子結構與白色石墨烯相當不同。a-BN 介電常數（dielectric constant）極低，只有 1.78，並有強大的電子和機械特質，能做為隔絕材料，讓電子干擾最小化。a-BN 可望廣泛用於 DRAM、NAND 記憶體，特別是大型伺服器的次世代記憶體解決方案。
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