長鑫宣稱技術搶先三星與SK海力士 記憶體版圖迎來二次巨變
鉅亨網編輯林羿君 2026-10-13 14:14消息引發全球晶片股拋售，記憶體股受壓，美光跌4%，三星與SK海力士在韓股重挫逾7%。
長鑫儲存(688825-CN) 宣布在晶片技術上取得重大突破，稱其成就已超越三星電子(005930KS) 等追趕多年的競爭對手。這項尚未獲證實的說法震撼股市，也反映中國正積極搶進這個關鍵領域。
這家中國記憶體龍頭的總裁曹侃鈺上周末在上海舉行的一場產業論壇上表示，作為中國記憶體龍頭，公司計劃推出一款能將更多算力集結於單一元件的新型晶片。
經公司發言人證實，這款即將問世、專為資料中心伺服器打造的產品採用所謂的 4F² 架構設計，預計將於今年底前正式發表。
若長鑫儲存確實突破 4F² 技術門檻，意味著儘管面臨美國禁令、無法取得艾司摩爾（ASML）最頂尖設備，其進展仍領先三星與 SK海力士(000660KS) 。
雖然曹侃鈺並未透露更多細節，但這番受到廣泛報導的言論已在全球晶片股中引發拋售潮。
美光科技(MU-US) 周一(12日)收盤下跌4%後，三星與SK海力士周二在南韓股市雙雙重挫逾7%，拖累南韓綜合指數(KOSPI) 走低。
晨星分析師Jing Jie Yu表示，若長鑫存儲能成功且率先將4F²架構導入DRAM生產，將大幅提升其相較同業的競爭地位。
不過，記憶體龍頭與設備製造商都曾指出，這項技術轉型難度甚高，因此預期，長鑫存儲從發表4F²產品，到以具商業可行性的良率實現量產，之間還需要相當一段時間。
長鑫儲存今夏完成大規模首次公開發行（IPO），並一度躍升為中國市值最高的企業。曹侃鈺此時發表宣言，更加彰顯該公司欲縮短與外國對手在晶片製造差距的努力，而這正是人工智慧（AI）發展的核心關鍵。
現行產業採用的 6F² 標準，是指晶片表面積為「特徵尺寸」（即電晶體間基礎線寬）平方的6倍。三星與 SK 海力士一直在探尋將其縮小至 4F² 的方法，理論上能在更小面積內塞入相同的記憶胞，從而提升效率。
曹侃鈺表示，公司正透過堆疊方式改變電晶體的佈局結構。
這種所謂的「垂直環繞閘極」（Vertical Surrounding Gate）技術應能減少漏電與其他副作用，而這正是大型競爭對手嘗試超越 6F² 標準、進一步微縮尺寸時長期面臨的棘手挑戰。
若該方案可行，這種全新架構將成為華為與 DeepSeek 等中國企業為繞過美國技術限制，所打造的最新創新繞道範例。
瑞士聯合私人銀行董事總經理Vey-Sern Ling表示：「投資人情緒不安，正尋找理由，對今年表現強勁的AI相關股票獲利了結，尤其是記憶體股。」
華為5月公布「Tau縮放定律」，提出有別於沿用數十年、透過縮小電晶體提升晶片效能的摩爾定律之替代方案。這家中國晶片龍頭轉而透過LogicFolding技術，加快傳輸速度並提高晶片內部的電晶體密度。
華為已推出採用這項技術的晶片，並搭載於今年上市的智慧型手機。
長鑫存儲正加速擴大先進記憶體產量，以滿足激增的AI需求。隨著未來幾年全球供應短缺開始緩解，具備製造高階產品的能力，也將有助公司取得更有利的競爭地位。
在輝達(NVDA-US) AI加速器所使用的高頻寬記憶體（HBM）領域，長鑫存儲仍處於落後地位，但在整體DRAM市場持續穩步推進。
Counterpoint Research彙整的數據顯示，截至今年第二季，該公司的DRAM市占率已擴大至10%，高於一年前的4%。
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